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相信时间站在中国这边，光刻机只不过在一定时间内显得紧迫和重要，卡脖子只是延缓中国崛起的美国意图，拿一条小龙不能弥补三路上高地的被动局面，美国眼下疫情金融都可能是大坑，最致命的是美国内斗，这是癌症，川普是扩散的信号，真不是中国太优秀，世界各国都是衬托
三到五年，中国将会制造出EUV光刻机。不要问我为什么这么说，因为中国不是你们想象的那个离开洋拐棍就不会走路的国家。中国建国后三十年筚路蓝缕打下工业基础，四十年改革开放工业起飞，七十年教育育人，三十岁的科学人才已经接班上岗，高新技术事业有如起步的赛车，正在猛轰油门，向着跑道冲刺。中国各科研院所和企业，已经生产出了高端光刻机的各个分部件，在统一规划下，进一步组装调试磨合之中而已。上海微电子公司，多年努力已经制成投产28nm光刻机，可以用于14nm工艺流程，迫使美国对中国解禁14nm以上的芯片设备。这就是中国人开辟的中国之路，奋进中的辉煌。14nm以下的芯片设备还会耽搁太久吗？何况14nm以上的芯片设备已经涵盖工农业军工的所需所求芯片，14nm以下的芯片设备生产的芯片主要用于手机一类的袖珍型民用装备，美国的封锁只是恶心到中国普通人的生活，诱逼中国人去购买苹果之类的西方产品，打压中国的民用产品市场份额，其奸商和恶棍的嘴脸在中国人民面前暴露无遗。三到五年，中国的科研人员和企业员工一定会让美国佬从此后悔自己的芯片无人需要。
中国光刻机世界上并不弱，上海微电子世界第四，前三位asml,尼康和佳能。
从科研实力上看，激光器，光学和化学都具备，但各个领域产业化不够，规模小和水平低，例如光学没有蔡司。
光刻机是大功率和高精度系统结合，高精密得机械。
光刻机主要是镜头组，高功率极紫外线激光，高精度工作台，光刻胶。是一只大型胶片时代单反相机，带着高质量纳米精度多个镜片低畸变得镜头。
太阳光照射物体光线传统或者反射进入镜头，打在胶片上，后续对胶片进行曝光，进行多张照片曝光后合成提高清晰度。
光刻机，光线穿过掩膜，通过镜头，照射在晶圆表面光刻胶，后续也有多次曝光，提高精度。
镜头组asml 用蔡司，多个直径1米镜头组，中国高分资源卫星有这类技术。有个比较，就摄影镜头来说，国产产业品质有蔡司70% 左右，这主要是考虑价格成本，太好价格贵。从产业化产品看，长庚光学广角镜头低畸变在世界领先，中一和七工匠镜头水平不低，但没有能与蔡司比。
大功率稳定输出激光光源待突破，中国激光器基础雄厚，主要是研究所。
双工工作台，光刻机是一线一线曝光以保证精度，精度极高。
光刻胶，实现产业化，台积电培养了几个企业，现在能供给韩国用。
中芯国际购买的是ASML第四代产品，也就是深紫外光刻机，技术上与ASML极紫外光刻机有云泥之别。
ASML光刻机目前已发展到第五代，最小工艺是正在向5nm甚至3nm迈进。从图中可知由上海微电子研制的国产光刻机目前水平实际上已经达到了ASML第四代水平。预计今年底能够上市销售。也正因为这个原因ASML公司已经于去年降价促销其DUV光刻机，目的是要把国产光刻机封杀于摇篮中。
ASML最顶级光刻机采用了极紫外光刻机EUV技术，这是1997年Intel和美国能源部共同成立发起的EUV-LLC联盟，汇集了美国三大国家实验室并联合了摩托罗拉和AMD等企业数百位顶尖科学家共同研制此技术。当时尼康和ASML也申请加入被美国政府拒绝，最后ASML表达了忠心和让步后才获准加入。但是日本尼康被排除了，因为那时美国正在打压日本的半导体产业，如今中国取代日本遭到美国打压。
从上图可知，国产光刻机研发过程的艰难历程。事实上极紫外光刻机技术美国早在上世纪末就开始了研发，中国目前的差距大约有二十年，不过按照中国人研发的决心与投入，这个差距可以缩小十年。
虽然中芯国际大量购买了ASML光刻机，但是为了能让国产光刻机有活路，国家最新出台了阻断法案。全称是《阻断外国法律和措施不当域外实施办法》。按照此法律要求，未来凡是在中国境内有业务开展的一些实体包括个人因为要遵守其他国家或其他一些法律禁令，那么在中国境内从事选择性、歧视性的商业活动对中国实体或者个人造成损害的都受到这一法律的管辖。简言之，两条路，要么申请中国商务部的豁免，要么就选择退出中国市场。
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